Транзистор 2N5551 TO-92 NPN 160В 0.6А 0.625Вт
Транзисторы 2N5551A, 2N5551B, 2N5551C.
Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,650 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 80 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 160в.
Максимальное напряжение коллектор - база - 180в.
Максимальное напряжение эмиттер - база - 6в.
Коэффициент передачи тока :
У транзисторов 2N5551A - от 80 до 160.
У транзисторов 2N5551B - от 120 до 180.
У транзисторов 2N5551C - от 150 до 250.
Максимальный постоянный ток коллектора - 0,6А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.
Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 180в. не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 0,1 мА.
Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,650 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 80 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 160в.
Максимальное напряжение коллектор - база - 180в.
Максимальное напряжение эмиттер - база - 6в.
Коэффициент передачи тока :
У транзисторов 2N5551A - от 80 до 160.
У транзисторов 2N5551B - от 120 до 180.
У транзисторов 2N5551C - от 150 до 250.
Максимальный постоянный ток коллектора - 0,6А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.
Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 180в. не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 0,1 мА.