Транзистор 2N5401 TO-92 PNP 150В 0.6А 0.6Вт
Транзисторы 2N5401.
Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,630 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 150в.
Максимальное напряжение коллектор - база - 160в.
Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
Коэффициент передачи тока - от 60 до 240.
Максимальный постоянный ток коллектора - 0,3А, 0,6А - пульсирующий.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.
Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 50 нА.
Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,630 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 150в.
Максимальное напряжение коллектор - база - 160в.
Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.
Коэффициент передачи тока - от 60 до 240.
Максимальный постоянный ток коллектора - 0,3А, 0,6А - пульсирующий.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.
Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 50 нА.